1. MUN2214T3G
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图片仅供参考,产品以实物为准

厂商型号

MUN2214T3G 

产品描述

SS SC59 BR XSTR NPN 50V

内部编号

277-MUN2214T3G

生产厂商

on semiconductor

onsemi

#1

数量:0
最小起订量:1
美国加州
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MUN2214T3G产品详细规格

规格书 MUN2214T3G datasheet 规格书
MUN(2,5)214, MMUN2214L, DTC114Yxx, NSBC114YF3
MUN2214T3G datasheet 规格书
文档 Copper Wire 29/Oct/2009
Rohs Lead free / RoHS Compliant
产品更改通知 Copper Wire Change 29/Oct/2009
标准包装 10,000
晶体管类型 NPN - Pre-Biased
- 集电极电流(Ic)(最大) 100mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 50V
电阻 - 基地(R1)(欧姆) 10k
电阻器 - 发射基地(R2)(欧姆) 47k
直流电流增益(HFE)(最小值)@ IC,VCE 80 @ 5mA, 10V
Vce饱和(最大)@ IB,IC 250mV @ 300µA, 10mA
电流 - 集电极截止(最大) 500nA
频率转换 -
功率 - 最大 338mW
安装类型 Surface Mount
包/盒 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供应商器件封装 SC-59
包装材料 Tape & Reel (TR)
供应商封装形式 SC-59
标准包装名称 SOT-23
最小直流电流增益 80@5mA@10V
欧盟RoHS指令 Compliant
最高工作温度 150
最低工作温度 -55
典型输入电阻 10
引脚数 3
封装 Tape and Reel
最大集电极发射极饱和电压 0.25@0.3mA@10mA
最大功率耗散 338
Maximum Continuous DC Collector Current 100
最大集电极发射极电压 50
配置 Single
类型 NPN
典型电阻器比率 0.21
电流 - 集电极( Ic)(最大) 100mA
晶体管类型 NPN - Pre-Biased
电阻器 - 基( R1 ) (欧姆) 10k
电流 - 集电极截止(最大) 500nA
下的Vce饱和度(最大) Ib,Ic条件 250mV @ 300µA, 10mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 50V
供应商设备封装 SC-59
电阻器 - 发射极基( R 2 ) (欧姆) 47k
功率 - 最大 338mW
标准包装 10,000
封装/外壳 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
安装类型 Surface Mount
直流电流增益( hFE)(最小值) Ic,Vce时 80 @ 5mA, 10V
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
工厂包装数量 10000
产品种类 Transistors Switching - Resistor Biased
晶体管极性 NPN
典型输入电阻 10 KOhms
直流集电极/增益hfe最小值 80
安装风格 SMD/SMT
集电极 - 发射极最大电压VCEO 50 V
功率耗散 230 mW
峰值直流集电极电流 100 mA
最低工作温度 - 55 C
连续集电极电流 0.1 A
最高工作温度 + 150 C
RoHS RoHS Compliant
宽度 1.5 mm
直流电流增益hFE最大值 80
长度 2.9 mm
系列 MUN2214
身高 1.09 mm
Pd - Power Dissipation 230 mW
品牌 ON Semiconductor

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